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Datenwartung
Modern

P 35 (П 35)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

15.00 V

Strom (IC):

20.00 mA

Leistung (Ptot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

500.00 kHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf
Typ
EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

KP 350 A

6.10

4.52

3.65

2.70

KP 350 B

5.25

3.89

3.15

2.33

Datenblatt (kurz)

Transistordaten, 2. Auflage

? Du benötigst 5 Guckies.

Datenblatt (lang)

? Du benötigst 10 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 16.07.2024 / 08:55:42