SME 992

MOS-HF-Transistor für UKW

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

n-Kanal

Spannung (U_CE) / (U_DS):

20.00 V

Strom (I_C):

40.00 mA

Leistung (P_tot):

200.00 mW

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Typen in Klammern sind ähnlich.

Datenblatt (kurz)

1989 - RFT Neuheiten

Datenblatt (lang)

Funkamateur

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1990 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.10.2026 / 10:58:33