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Datenwartung

KF 520

N-MOSFET

Hersteller:

TESLA Roznov, CSSR, CSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

n-Kanal

Spannung (UCE) / (UDS):

30.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

70.00 V

Strom (IC):

30.00 mA

Leistung (Ptot):

300.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

30.00 MHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf
Typ
EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

KF 520

6.10

4.52

3.65

2.70

Datenblatt

1974 - Elektronisches Jahrbuch

? Du benötigst 5 Guckies.

Daten-Web

www

? Du benötigst 3 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1974 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 19.07.2024 / 08:45:08