P 401 (П 401)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

10.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

1.00 V

Strom (I_C):

20.00 mA

Leistung (P_tot):

100.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

30.00 MHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

BYP 401/100 G

1.40

1.04

0.84

0.62

BYP 401/50 R

1.30

0.96

0.78

0.58

BYP 401/50/KK/5

1.30

0.96

0.78

0.58

P 401

4.40

3.26

2.65

1.96

Datenblatt (kurz)

1973 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt (lang)

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 08:56:52