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Datenwartung
SC 236 C |
NF-Transistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bild: |  |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 20.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 30.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 200.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 145.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 56 - 140 |
-Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SC 236 C |
0.50 |
0.37 |
0.30 |
0.22 |
SC 236 C-S 1 |
0.15 |
0.11 |
0.00 |
0.00 |
Datenblatt | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt | Transistordaten, 2. Auflage |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1981 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 24.11.2025 / 08:36:31 |