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Datenwartung
SM 200 |
MOS-HF-Transistor für VHF |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | n-Kanal |
Spannung (UCE) / (UDS): | 20.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 15.00 V |
Strom (IC): | 30.00 mA |
Leistung (Ptot): | 300.00 mW |
-Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SM 200 |
4.00 |
2.96 |
2.40 |
1.78 |
SM 200 S 1 |
1.20 |
0.89 |
0.00 |
0.00 |
Datenblatt | RFT-mikroelektronik |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1985 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 15.07.2025 / 08:59:10 |