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Datenwartung
SD 602 |
Transistor für Regelnetzteile |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 80.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 120.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 4.00 V |
Strom (IC): | 3.00 A |
Leistung (Ptot): | 10.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 2.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | > 20 |
Kompatibel: | -Typen in Klammern sind ähnlich! |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente | |
Datenblatt: | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 02.12.2024 / 08:46:52 |
