SD 102

Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CB) / (U_GD):

50.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

3.00 A

Leistung (P_tot):

62.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

15.00 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 24.07.2024 / 08:51:58