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Datenwartung
SMY 52 |
MOSFET |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | PMOS |
Spannung (UCE) / (UDS): | 31.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 31.00 V |
Strom (IC): | 60.00 mA |
Leistung (Ptot): | 300.00 mW |
-Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SMY 52 |
7.75 |
5.74 |
4.65 |
3.45 |
SMY 52 S 1 |
1.45 |
1.07 |
0.00 |
0.00 |
Datenblatt | Transistordaten, 2. Auflage |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 19.07.2024 / 09:15:39 |