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Datenwartung
P 12 (П 12) |
Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 6.00 V |
Strom (IC): | 5.00 mA |
Leistung (Ptot): | 30.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 5.00 MHz |
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
AAP 120 |
1.05 |
0.78 |
0.63 |
0.47 |
GP 120 |
24.70 |
18.30 |
14.80 |
10.97 |
GP 121 |
19.70 |
14.60 |
11.80 |
8.74 |
GP 122 |
26.70 |
19.78 |
16.00 |
11.86 |
Datenblatt | Transistordaten, 2. Auflage |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 15.07.2024 / 09:19:46 |