P 7 (П 7)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CB) / (U_GD):

6.50 V

Strom (I_C):

45.00 mA

Leistung (P_tot):

45.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

200.00 kHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

1 PP 75

22.60

16.75

13.60

10.08

33 NP 75

5.55

4.11

3.35

2.48

34 NP 75

6.95

5.15

4.15

3.08

35 NP 75

8.70

6.45

5.20

3.85

36 NP 75

6.70

4.96

4.00

2.96

42 NP 75

4.20

3.11

2.50

1.85

43 NP 75

5.55

4.11

3.35

2.48

44 NP 75

6.95

5.15

4.15

3.08

45 NP 75

8.65

6.41

5.20

3.85

46 NP 75

11.50

8.52

6.90

5.11

K 155 KP 7

7.60

5.63

4.55

3.37

MMP 710

15.00

11.12

9.00

6.67

MMP 711

12.50

9.26

7.50

5.56

P 701 A

1.95

1.44

1.15

0.85

P 702

4.00

2.96

2.40

1.78

P 702 A

3.10

2.30

1.85

1.37

UP 7211 DS 1

18.70

13.86

0.00

0.00

Datenblatt

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 15.07.2024 / 08:57:55