GS 112

Schalttransistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

15.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

20.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

200.00 mA

Leistung (P_tot):

83.00 mW

Kompatibel:

ASY 27 - Valvo

2 SA 210 - Hitachi

Typen in Klammern sind ähnlich!

GS 112 A

4.60

3.41

2.75

2.04

GS 112 B

6.55

4.85

3.95

2.93

GS 112 C

7.70

5.71

4.60

3.41

GS 112 D

9.20

6.82

5.50

4.08

GS 112 E

10.70

7.93

6.40

4.74

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 05.07.2024 / 08:01:09