GD 242

NF-Leistungstransistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

48.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

50.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

20.00 V

Strom (I_C):

3.00 A

Leistung (P_tot):

10.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

300.00 kHz

Kompatibel:

5 NU 73 - Tesla, CSSR

ASZ 1015 - Tungsram, VR Ungarn

AUY 22 - Siemens

AUY 28 - Telefunken

P 4 B -

Typen in Klammern sind ähnlich.

2 GD 242 A

19.30

14.30

11.60

8.60

2 GD 242 B

21.90

16.23

13.10

9.71

2 GD 242 C

24.30

18.01

14.60

10.82

2 GD 242 D

25.60

18.97

15.40

11.41

GD 242 A

8.75

6.48

5.25

3.89

GD 242 B

9.90

7.34

5.95

4.41

GD 242 C

11.10

8.23

6.70

4.96

GD 242 D

11.70

8.67

7.00

5.19

Datenblatt

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:14:54