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Datenwartung
GD 175 |
NF-Leistungstransistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 50.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 50.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 10.00 V |
Strom (IC): | 3.00 A |
Leistung (Ptot): | 4.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 250.00 kHz |
Kompatibel: | 4 NU 72 - Tesla, CSSR | Amazon | |
AD 131 - Siemens | Amazon | ||
AD 152 - Telefunken | Amazon | ||
AD 1202 - Tungsram, VR Ungarn | Amazon | ||
Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
2 GD 175 A |
12.70 |
9.41 |
7.60 |
5.63 |
2 GD 175 B |
17.80 |
13.19 |
10.70 |
7.93 |
2 GD 175 C |
21.00 |
15.56 |
12.60 |
9.34 |
GD 175 A |
5.75 |
4.26 |
3.45 |
2.56 |
GD 175 B |
8.10 |
6.00 |
4.85 |
3.59 |
GD 175 C |
9.55 |
7.08 |
5.75 |
4.26 |
Datenblatt: | 1969 - Elektronisches Jahrbuch | |
Datenblatt: | 1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:03:33 |
