GD 160

NF-Leistungstransistor (früher OC 836)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

18.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

20.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

3.00 A

Leistung (P_tot):

4.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

250.00 kHz

Verstärkung (h_21e):

<10

Kompatibel:

AD 148 - Siemens

AD 164 - Telefunken

P 4 B - UdSSR
AD 136 - WD
OC 30 - WD
2 N 138 - USA
2 NU 72 - CSSR-Tesla
2 SB 367 - Japan

Typen in Klammern sind ähnlich.

2 GD 160 A

9.70

7.19

5.80

4.30

2 GD 160 B

13.60

10.08

8.20

6.08

2 GD 160 C

16.20

12.00

9.70

7.19

GD 160 A

4.40

3.26

2.65

1.96

GD 160 B

6.20

4.59

3.70

2.74

GD 160 C

7.35

5.45

4.40

3.26

Datenblatt

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:02:38