GD 125

NF-Transistor und Schalter

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

66.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

V

Strom (I_C):

1.30 A

Leistung (P_tot):

1.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

200.00 kHz

1 T 403 W - UdSSR

Typen in Klammern sind ähnlich.

2 GD 125 A

9.30

6.89

5.60

4.15

2 GD 125 B

13.20

9.78

7.90

5.85

2 GD 125 C

15.50

11.49

9.30

6.89

GD 125 C

7.00

5.19

4.20

3.11

Datenblatt

1969 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29