GD 110

NF-Transistor (früher OC 831)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

18.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

20.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

1.30 A

Leistung (P_tot):

2.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

200.00 kHz

Verstärkung (h_21e):

<5

Kompatibel:

AD 155 - Telefunken

P 3 A - UdSSR
AC 105 - WD
AC 106 - WD
2 N 143 - USA
2 NU 72 - CSSR-Tesla
2 SB 80 - Hitachi

Typen in Klammern sind ähnlich.

2 GD 110 A

7.15

5.30

4.30

3.19

2 GD 110 B

10.10

7.48

6.10

4.52

GD 110 A

3.25

2.41

1.95

1.44

Datenblatt

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:00:20