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Datenwartung
B 109 D |
Operationsverstärker |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Betriebsspannung: | -18.00 - 18.00 V |
Leistung: | 300.00 mW |
Temperaturbereich: | -25 - 85 °C |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
B 109 D |
12.70 |
9.41 |
7.60 |
5.63 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente | |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1981 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 31.01.2025 / 14:27:50 |
