GC 122 A

NF-Transistor (früher OC 822)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

33.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

35.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

15.00 V

Strom (I_C):

250.00 mA

Leistung (P_tot):

92.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

12.00 kHz

Verstärkung (h_21e):

18 - 35

Kompatibel:

AC 131/30 - Telefunken

OC 76 - Valvo

OC 76 - Mullard

P 13 A - UdSSR
AC 152 - WD
OC 307 - WD
2 N 44 - USA
OC 76 - CSSR-Tesla
2 SB 77 - Japan
2 SB 89 A - Hitachi

Typen in Klammern sind ähnlich!

2 GC 122 A

2.55

1.89

1.55

1.15

GC 122 A

1.15

0.85

0.69

0.51

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 08:43:23