GC 117

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

20.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

25.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

150.00 mA

Leistung (P_tot):

92.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

1.20 MHz

Kompatibel:

AC 122 - Telefunken

AC 125 - Valvo

AC 151 - Siemens

OC 70 - Tesla, CSSR

P 6 D - UdSSR
AC 122 - WD
2 N 207 - USA
2 SB 75 - Hitachi

Typen in Klammern sind ähnlich.

GC 117 A

1.15

0.85

0.69

0.51

GC 117 B

1.60

1.19

0.96

0.71

GC 117 C

1.95

1.44

1.15

0.85

GC 117 D

2.30

1.70

1.40

1.04

Datenblatt

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 08:35:27