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Datenwartung
OC 810 |
Flächentransistor |
Hersteller: | VEB Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik Teltow, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 20.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 25.00 V |
Strom (IC): | 10.00 mA |
Leistung (Ptot): | 50.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 200.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | 3 - 25 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
OC 810 |
6.00 |
4.45 |
3.60 |
2.67 |
Datenblatt: | 1957 - Bauelemente der Nachrichtentechnik | |
Datenblatt: | 1956 Transistoren - Dioden |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1956 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 07.12.2024 / 15:15:45 |
