2 OA 646

Diodenpaar hochohmig (später 2 GA 109)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Spannung (U_R):

40.00 V

Durchlassgleichstrom (I_F):

15.00 mA

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1972 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29