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Datenwartung
SCE 309 D |
NF-Transistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 25.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 30.00 V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 150.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 254.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 112 - 280 |
Kompatibel: | BC 859 - ITT | Amazon | |
BCF 29/30 - Valvo | Amazon | ||
Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SCE 309 D |
1.15 |
0.85 |
0.69 |
0.51 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1983 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 11:06:31 |
