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Datenwartung
E 110 D |
3 NAND mit je 3 Eing. |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR |
Bild: |  |
Bauform: |  |
Betriebsspannung: | 5.00 V |
Temperaturbereich: | -25 - 85 °C |
Kompatibel: | SN 8410 N - Texas Instruments | Amazon | |
TL 8410 N - Telefunken | Amazon | ||
SFC 410 ET - Sescosem | Amazon | ||
FLH 115 - Siemens | Amazon | ||
Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
E 110 D |
4.35 |
3.22 |
2.60 |
1.93 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1981 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 14.11.2025 / 08:50:38 |
