U 61000 DC 12

1MB x 1 CMOS-dRAM

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Karl Marx" Erfurt, DDR

Bauform:

Betriebsspannung:

4.50 - 5.50 V

Stromaufnahme:

50.00 mA

Zugriffszeit:

45.0 ns

Temperaturbereich:

0 - 70 °C

Kompatibel:

TC 511000 - Toshiba

HYB 511000 - Siemens, BRD

Typen in Klammern sind ähnlich.

Datenblatt (kurz)

1989 - RFT Neuheiten

Datenblatt (lang)

ZEISS - Mikroelektronische Bauelemente

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1989 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.10.2026 / 11:11:45