KT 829 B (KT 829 Б)

Darlingtontransistor (komplementär KT 709 B)

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bild:

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

80.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

80.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

8.00 A

Leistung (P_tot):

60.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

4.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

> 750

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1988/1 - Datenblattsammlung

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1988 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 24.11.2025 / 08:46:31