SZ 506

Leistungszehnerdiode

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Spannung (U_R):

6.00 - 7.60 V

Durchlassgleichstrom (I_F):

100.00 mA

Verlustleistung (P_tot):

5.00 W

Kompatibel:

BZY 84/D 6 V 8 - Siemens

D 815 B - Mashpriboringtorg, UdSSR

OAZ 224 - Mullard

ZX 6,8 - Intermetall

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt:

1969 - Silizium-Gleichrichterdioden RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 01.04.2024 / 09:55:27