P 606 (П 606)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

35.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

35.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

0.50 V

Strom (I_C):

1.50 A

Leistung (P_tot):

3.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

30.00 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

P 606

9.30

6.89

5.60

4.15

Datenblatt:

1973 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 18.07.2024 / 08:28:55