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Datenwartung
P 416 B (П 416 Б) |
Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 20.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 3.00 V |
Strom (IC): | 25.00 mA |
Leistung (Ptot): | 100.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 80.00 MHz |
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
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|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
P 416 B |
4.30 |
3.19 |
2.60 |
1.93 |
Datenblatt | 1973 - Elektronisches Jahrbuch |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt | Transistordaten, 2. Auflage |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 21:23:05 |