P 416 (П 416)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

20.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

3.00 V

Strom (I_C):

25.00 mA

Leistung (P_tot):

100.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

40.00 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

P 416

6.15

4.56

3.70

2.74

P 416 A

6.60

4.89

3.95

2.93

P 416 B

4.30

3.19

2.60

1.93

Datenblatt:

1973 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 21:21:09