P 30 (П 30)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

12.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

12.00 V

Strom (I_C):

100.00 mA

Leistung (P_tot):

30.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

10.00 MHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

KP 302 A

11.10

8.23

6.70

4.96

KP 302 B

10.50

7.78

6.30

4.67

KP 302 W

10.00

7.41

6.00

4.45

KP 303 A

4.00

2.96

2.40

1.78

KP 303 B

4.10

3.04

2.45

1.82

KP 303 D

3.85

2.85

2.30

1.70

KP 303 E

3.75

2.78

2.25

1.67

KP 303 W

4.25

3.15

2.55

1.89

KP 305 D

4.00

2.96

2.40

1.78

KP 305 SH

4.00

2.96

2.40

1.78

KP 306 A

5.10

3.78

3.05

2.26

KP 306 B

4.85

3.59

2.90

2.15

KP 306 W

4.60

3.41

2.75

2.04

KP 307 B

4.35

3.22

2.60

1.93

P 30

2.70

2.00

1.60

1.19

P 303

1.50

1.11

0.90

0.67

P 304

1.75

1.30

1.05

0.78

P 306

1.65

1.22

0.99

0.73

P 306 A

1.75

1.30

1.05

0.78

Datenblatt

1973 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 16.07.2024 / 08:49:02