GD 502

HF-Transistor

Hersteller:

TESLA Roznov, CSSR, CSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

- 24.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

V

Strom (I_C):

100.00 mA

Leistung (P_tot):

300.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

100.00 MHz

Kompatibel:

FD 7 - ?---

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1970 - Elektronisches Jahrbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1970 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:34