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Datenwartung
GT 108 G (ГT 108 Г) |
NF-Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 15.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 10.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 50.00 mA |
Leistung (Ptot): | 75.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 1.00 MHz |
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
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|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GT 108 G |
1.70 |
1.26 |
1.00 |
0.74 |
Datenblatt | 1969 - Elektronisches Jahrbuch |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt | Transistordaten, 2. Auflage |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 10.07.2024 / 09:37:35 |