GF 108

HF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

15.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

9.00 V

Strom (I_C):

15.00 mA

Leistung (P_tot):

100.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

6.00 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

GF 108

2.45

1.82

1.45

1.07

GF 108 C

3.25

2.41

1.95

1.44

GF 108 D

3.90

2.89

2.35

1.74

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:19:40