D 816 G (Д 816 Г)

Z-Diode

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Spannung (U_R):

39.00 V

Durchlassgleichstrom (I_F):

130.00 mA

Verlustleistung (P_tot):

5.00 W

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

RFT-mikroelektronik

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1986 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 09.09.2025 / 08:36:57