AP 331 A-2 (AП 331 A-2)

Transistor (2 pro Chip)

Hersteller:

ELORG, UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

NMOS

Spannung (U_CE) / (U_DS):

5.00

Spannung (U_CB) / (U_GD):

4.00

Spannung (U_EB) / (U_GS):

8.00

Strom (I_C):

4.00 mA

Leistung (P_tot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

10.00 GHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1986 ТРАНСИСТОРЫ Transistors Elorg

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1986 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.09.2025 / 08:08:06